长鑫存储4F²架构获进展 DDR5 RDIMM预计年底亮相

驱动中国10月10日消息，长鑫存储4F² DRAM架构研发近期取得关键进展。该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍长鑫存储在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并宣布预计年底推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

曹堪宇博士介绍，长鑫存储自成立起启动4F²研究和专利布局，公开专利族超过300件，数量领先海内外厂商。2021年，长鑫存储发布大陆首篇4F²架构相关论文；2023年和2025年，该公司又通过两篇论文分享相关研发进展。

当前行业主流DRAM单元为6F²架构。在DRAM芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管和一个电容器组成。4F²表示每个单元仅占4倍最小特征尺寸的平方，可提升存储密度。从6F²到4F²属于根本性变化，原有6F²工艺无法直接复用，需要全新器件与工艺体系。

研发过程中，长鑫存储对多项核心工艺流程进行技术探索与突破，优化字线金属化、位线成型、结激活等关键工艺，以实现性能与功耗比优化。

此次演讲未提及即将推出的DDR5 RDIMM规格信息和发布时间。DDR5 RDIMM是服务器市场主流配置。长鑫存储将4F²架构首代产品定为DDR5 RDIMM，意味着该产品将进入服务器内存领域，面对服务器内存领域较高的技术与工程壁垒。