全球半导体技术盛会——国际电子器件大会（IEDM 2025）即将于12月6日至10日在美国旧金山举行。作为半导体器件领域的权威学术会议，IEDM一直以来都是全球前沿技术的重要展示平台。今年，中国在学术和产业领域双双展现强劲实力：北京大学连续第五年以21篇入选论文领跑全球高校；而在产业界，国内DRAM领军企业长鑫存储的两项重要技术成果入选大会，成为国内企业论文数量最多的代表，凸显其在存储技术创新方面的领先地位。
创立于1955年的IEDM，长期被誉为电子器件领域的“奥林匹克盛会”。会议内容覆盖CMOS工艺、先进存储、传感器、功率器件等核心方向。在人工智能浪潮驱动存储需求激增、技术迭代加速的当下，IEDM 2025不仅是展示学术突破的平台，更是洞悉未来存储技术路径与产业发展态势的关键契机。
中国与IEDM的渊源可追溯至1979年，黄敞先生的论文实现了国内学术界在该顶会的首次亮相。多年来，以北京大学、清华大学、中国科学院微电子所为代表的科研机构，在存算一体、三维集成等前沿方向持续深耕，引领着基础研究的创新步伐。
与此同时，以长鑫存储为代表的中国企业也正以自主创新者的角色登上IEDM舞台。早在2023年，长鑫存储就曾围绕环绕栅极（GAA）技术在DRAM中的应用发表论文，引发行业关注。今年，长鑫进一步展示了两项突破性技术：一是基于3D FeRAM方案的堆叠式铁电电容结构，该方案兼具高读写速度和低功耗特性，展现出广阔的应用前景；二是全球首例BEOL集成的多层DRAM架构，结合IGZO沟道晶体管实现性能与可靠性的优化，为未来DRAM发展提供了新思路。
扎实的技术研发已直接推动产品迭代与市场布局。长鑫目前已构建从DDR4、LPDDR4X到最新DDR5/LPDDR5X的全系列产品矩阵。据官网消息，今年10月，长鑫推出LPDDR5X系列产品，提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，最高速率可达10667Mbps，达到国际主流水平，较上一代LPDDR5提升了66%，同时可以兼容LPDDR5，功耗则比LPDDR5降低了30%。据悉，长鑫正在研发0.58mm超薄LPDDR5X芯片，量产后有望成为全球最薄的DRAM产品。
在标准存储领域，长鑫存储于11月23日最新发布新一代DDR5系列产品，最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，并同步推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品，全面覆盖服务器、个人电脑等多类应用场景，展现出与国际巨头竞争的实力。
近日，TrendForce发布了2025年第三季度全球DRAM市场报告，整体营收环比增长30.9%，达414亿美元（现约合2935.8亿元人民币）。公开信息显示，长鑫已于2025年10月成功完成IPO辅导验收，正在积极推进上市进程。行业人士认为，值此行业上升周期，长鑫有望进一步扩大市场份额、提升资本价值，持续推动国产存储技术的发展。
