全球电子产业正在经历一场由存储芯片引发的供应链波动。今年以来，三星、SK海力士等国际存储巨头逐渐将部分DRAM产能转向HBM，同时将NAND产能聚焦于高层数、高性能产品，以满足AI需求。这一集体转向给存储市场留下了供给缺口的同时，也在客观上让出了中低端存储市场的空间。
供需错配之下，市场上已经出现存储急单。11月17日，中芯国际在投资者关系活动记录表中表示，公司承接了大量存储包括NOR/NAND Flash等急单。业内人士预计存储芯片的短缺周期还将延续数年，这一供需窗口期可能为存储代工业务带来新的市场机遇。
市场观察：NAND赛道的供需新动态
AI崛起重塑了产业链的协同模式。以台积电为例，它虽不直接生产存储颗粒，但其先进的CoWoS封装技术已成为整合AI芯片的核心平台。这标志着代工巨头已在“存储-逻辑”协同领域掌握了关键话语权。在当下产业链关联度日益加深的背景下，台积电的路径展示了产业链协同的价值与可能性，这引发了市场对逻辑代工厂在制造端寻求更深度协同的关注。
目前3D NAND单颗芯片容量1Tb起步，2D SLC和MLC容量覆盖从数百Mb到数十Gb，数十Gb-1Tb容量点需要中低层数3D NAND（<128层）覆盖。
“在几十Gb到1Tb之间，主要靠库存和极少数产能在支撑，但这一市场的客户需求巨大，还有AR眼镜等新型应用需求出现。”至讯创新科技（无锡）有限公司董事长汤强指出。这种市场态势也正好为具备成熟制造能力的逻辑代工厂提供了切入机会。
跨界可能：工艺底蕴与制造协同
从技术角度看，DRAM的制造难度极高。其基本存储单元由一个晶体管和一个电容组成，电容的制造需要在硅片上“挖坑”并填充高介电材料，工艺复杂度随制程微缩呈指数级增长。反观NAND Flash，其主流的3D NAND技术核心是将存储单元在垂直方向上进行堆叠，如同盖摩天大楼。这种结构更依赖于刻蚀、薄膜沉积等工艺的精密控制，而这些工艺正是逻辑芯片代工厂在制造先进制程芯片时已经熟练掌握并持续投入的核心能力。可以说，在攻克3D NAND的堆叠难题上，代工厂所拥有的工艺工程底蕴，这使得逻辑代工厂在探索3D NAND制造时，可能具备一定的工艺基础。
在这一趋势下，逻辑代工厂承接NAND急单具有多重战略意义。首先，这有助于代工厂为客户提供更完整的芯片解决方案，增强客户粘性。其次，通过布局存储芯片，代工厂可以平缓因半导体周期波动带来的业绩影响。再者，这种跨界尝试符合产业链对供应链韧性日益重视的诉求，能够帮助客户降低供应链风险。
挑战与机遇：跨界发展的现实考量
尽管逻辑代工厂切入NAND领域存在诸多利好因素，但这一转型之路仍面临不少挑战：技术层面，虽然NAND的技术门槛相对较低，但代工厂仍需突破特定的技术瓶颈；在产业生态方面，代工厂需要重新构建存储芯片相关的知识产权布局，应对可能存在的专利风险。同时，如何平衡逻辑芯片与存储芯片的产能分配，确保两类业务协同发展，也是需要深思熟虑的战略课题。
然而必须正视的是，NAND与HBM等核心算力资源的定位存在本质差异。在AI算力架构中，HBM作为“近存”担当，与GPU协同处理海量实时数据；而NAND的角色更偏向“远存”，主要负责模型和数据的静态存储与加载。这种架构上的距离，决定了NAND在应对AI爆发式增长的实时算力需求时存在带宽瓶颈，因而其市场角色或许更多是短期内的产能补充与平衡，难以像DRAM一样深度参与AI海量爆发的市场算力需求。
存储涨价风暴正在催生半导体产业格局的深刻变革。逻辑代工厂承接NAND急单，或许只是这场变革的开端。有市场观点认为，未来具备多品类芯片制造能力的‘综合型代工平台’或将在应对系统级需求方面展现出更强的适应性。这类平台不仅能够为客户提供更完整的芯片解决方案，还能通过业务多元化增强抗风险能力。更重要的是，随着电子系统对算力、存储、连接协同效率的要求不断提高，能够提供系统级优化方案的制造平台将获得显著优势。
